金刚石半导体器件发展面临大尺寸晶体生长与浅能级掺杂两大技术瓶颈。随着MPCVD技术的发展，大尺寸晶体生长取得了快速显著的进步。然而，浅能级掺杂技术依然进展缓慢，限制了金刚石的pn结器件原理的运用，探寻宽禁带半导体器件新原理或许才是金刚石的器件发展之路。表面电势钉扎是分析半导体肖特基器件不可忽视的效应。我们分析了氧终端对金刚石肖特基势垒有钉扎效应，同时，发展出了宽禁带半导体肖特基结分析理论模型，该模型可以兼容传统教科书中的模型，基于此模型计算发现，氧终端金刚石存在10^5V/cm的强内建电场，颠覆了肖特基不能构建强内建电场的传统观念。基于氧终端对金刚石肖特基势垒的钉扎效应，开发出了金刚石位置灵敏探测器、金刚石光调控肖特基势垒探测器、金刚石雪崩探测器等一系列金刚石光电器件。

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