[口头报告]阵列式空心阴极等离子体源低温碳离子注渗技术研究

阵列式空心阴极等离子体源低温碳离子注渗技术研究
编号:327 稿件编号:362 访问权限:仅限参会人 更新:2026-03-31 22:01:29 浏览:26次 口头报告

报告开始:2026年04月28日 09:35 (Asia/Shanghai)

报告时间:15min

所在会议:[H] 材料表层强化和改性技术论坛 » [H1] H上午场

暂无文件

摘要
为了拓展奥氏体不锈钢低温(<450℃)渗碳技术的工业应用,亟待突破高密度、低成本的等离子体源技术,促进低温高效渗碳技术与装备的改进和发展。本研究在常规活性屏等离子体源渗碳技术基础上,发展了一种新的低温渗碳技术—阵列式空心阴极等离子体源碳离子注渗技术,所采用的空心阴极等离子体源由空间分布的石墨空心阴极阵列构成,在高功率脉冲作用下,实现低气压(<70 Pa)的CH4和H2混合气体放电,形成高密度、空间均匀的等离子体,通过试样上施加非扰动等离子体源放电的低负偏压(<250 V),在试样周围建立均匀的高碳势场和温度场,满足奥氏体不锈钢低温渗碳需求,获得具有耐磨抗蚀复合作用的改性效果。
 
关键字
等离子体,空心阴极,低温,碳离子注渗
报告人
刘昊一
讲师 沈阳理工大学

稿件作者
刘昊一 沈阳理工大学
发表评论
验证码 看不清楚,更换一张
全部评论
注册缴费 提交稿件